창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2EZ6.8D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2EZ3.6D5-2EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2EZ6.8D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 2EZ6.8D, 2EZ6.8D10E3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | CMR04E680FPDP | CMR MICA | CMR04E680FPDP.pdf | |
![]() | SMLVT3V3 | TVS DIODE 3.3VWM 10.3VC SMB | SMLVT3V3.pdf | |
![]() | VS-1EFH01-M3/I | DIODE GEN PURP 100V 1A SMF | VS-1EFH01-M3/I.pdf | |
![]() | STD3NK90ZT4 | MOSFET N-CH 900V 3A DPAK | STD3NK90ZT4.pdf | |
![]() | TF2628V-702Y2R5-01 | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.5A DCR 200 mOhm | TF2628V-702Y2R5-01.pdf | |
![]() | L-07W5N1JV4T | 5.1nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 83 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07W5N1JV4T.pdf | |
![]() | 1782R-31F | 3µH Unshielded Molded Inductor 270mA 850 mOhm Max Axial | 1782R-31F.pdf | |
![]() | S4924-102K | 1µH Shielded Inductor 2.32A 70 mOhm Max Nonstandard | S4924-102K.pdf | |
![]() | 160-471GS | 470nH Unshielded Inductor 835mA 180 mOhm Max 2-SMD | 160-471GS.pdf | |
![]() | Y00255K88000S0L | RES 5.88K OHM 1/2W .001% AXIAL | Y00255K88000S0L.pdf | |
![]() | FDP-N1000 | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M | FDP-N1000.pdf | |
![]() | SSCMLNN250MD2A3 | Pressure Sensor ±3.63 PSI (±25 kPa) Differential Male - 0.1" (2.47mm) Tube 12 b 8-SMD, J-Lead, Top Port | SSCMLNN250MD2A3.pdf |