창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6661 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2N6661 | |
PCN 설계/사양 | New DeviceDoc 30/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | 3L TO-39 Qualification Assembly Site Update 22/Aug/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 24V | |
전력 - 최대 | 6.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | 2N6661MC | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2N6661 | |
관련 링크 | 2N6, 2N6661 Datasheet, Microchip Technology Distributor |
![]() | BT258S-800R,118 | THYRISTOR 800V 8A DPAK | BT258S-800R,118.pdf | |
![]() | DTC114TETL | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | DTC114TETL.pdf | |
![]() | 7447452392 | 3.9mH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 4.8 Ohm Max Radial | 7447452392.pdf | |
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![]() | CRCW0805174KDHEAP | RES SMD 174K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW0805174KDHEAP.pdf | |
![]() | CRCW06032R15FMTA | RES SMD 2.15 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06032R15FMTA.pdf | |
![]() | MBB02070C2263FCT00 | RES 226K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2263FCT00.pdf | |
![]() | CMF551M7400BHR6 | RES 1.74M OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551M7400BHR6.pdf | |
![]() | CPCF0720K00JE66 | RES 20K OHM 7W 5% RADIAL | CPCF0720K00JE66.pdf | |
![]() | MS46SR-20-610-Q1-R-NC-AN | SPARE RECEIVER | MS46SR-20-610-Q1-R-NC-AN.pdf | |
![]() | TMP007AIYZFT | SENSOR TEMP I2C/SMBUS 8DSBGA | TMP007AIYZFT.pdf |