창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6661JAN02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2N6661JAN02 | |
관련 링크 | 2N666, 2N6661JAN02 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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CRCW0805470RJNEB | RES SMD 470 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW0805470RJNEB.pdf | ||
CW005R2000JE12HS | RES 0.2 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW005R2000JE12HS.pdf | ||
P51-500-A-A-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-500-A-A-I12-20MA-000-000.pdf | ||
P51-300-G-I-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-I-M12-4.5OVP-000-000.pdf |