창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6661JAN02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2N6661JAN02 | |
관련 링크 | 2N666, 2N6661JAN02 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | F10J750 | RES CHAS MNT 750 OHM 5% 10W | F10J750.pdf | |
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![]() | AC2010FK-0714KL | RES SMD 14K OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-0714KL.pdf | |
![]() | RT1206BRD07332RL | RES SMD 332 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07332RL.pdf | |
![]() | RG3216P-1183-B-T1 | RES SMD 118K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1183-B-T1.pdf | |
![]() | CMF5556R200FHEB | RES 56.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5556R200FHEB.pdf | |
![]() | RNF14FTD1R18 | RES 1.18 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD1R18.pdf | |
![]() | NTHS1206N02N7001JP | NTC Thermistor 7k 1206 (3216 Metric) | NTHS1206N02N7001JP.pdf |