창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6661JTXP02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2N6661JTXP02 | |
관련 링크 | 2N6661, 2N6661JTXP02 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 1825HC102MAT3A | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825HC102MAT3A.pdf | |
![]() | 7CA0002001 | 100MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable | 7CA0002001.pdf | |
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![]() | FQA6N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P | FQA6N90C_F109.pdf | |
![]() | CLF6045NIT-4R7N-D | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 3.3A 30 mOhm Max Nonstandard | CLF6045NIT-4R7N-D.pdf | |
![]() | S0603-3N3F1D | 3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-3N3F1D.pdf | |
![]() | AT0805DRD073K65L | RES SMD 3.65K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD073K65L.pdf | |
![]() | PLT0805Z3241LBTS | RES SMD 3.24KOHM 0.01% 1/4W 0805 | PLT0805Z3241LBTS.pdf | |
![]() | CFR-50JB-52-270K | RES 270K OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR-50JB-52-270K.pdf | |
![]() | PXV1220S-4DBN4-T | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-4DBN4-T.pdf |