창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6661JTXV02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2N6661(2)/2N6661JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Mil-QPL-Jfet 06/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 860mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-39 | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2N6661JTXV02 | |
관련 링크 | 2N6661, 2N6661JTXV02 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | E81D630VGS222MR25N | CAP ALUM 2200UF 63V RADIAL | E81D630VGS222MR25N.pdf | |
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![]() | 0214016.K | FUSE CARTRIDGE 16A 36VDC TORPEDO | 0214016.K.pdf | |
![]() | 7A12000044 | 12MHz ±30ppm 수정 20pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A12000044.pdf | |
![]() | BR32 | DIODE BRIDGE 200V 3A BR-3 | BR32.pdf | |
![]() | MDPK5050T6R8MM | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 138 mOhm Max Nonstandard | MDPK5050T6R8MM.pdf | |
![]() | SCRH2D14-1R8 | 1.8µH Shielded Inductor 1.44A 85 mOhm Max Nonstandard | SCRH2D14-1R8.pdf | |
![]() | 2534R-72J | 100mH Unshielded Molded Inductor 15.8mA 670 Ohm Max Radial | 2534R-72J.pdf | |
![]() | 8536730000 | Module, LED and/or Protection PRZ/PRS Series | 8536730000.pdf | |
![]() | CMF65133K00FKEK | RES 133K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65133K00FKEK.pdf | |
![]() | CPR03510R0JE14 | RES 510 OHM 3W 5% RADIAL | CPR03510R0JE14.pdf |