ON Semiconductor 2N6667G
- 제조업체 부품 번호
- 2N6667G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
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- 트랜지스터(BJT) - 단일
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- TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
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2N6667G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6667G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2N6667,2N6668 | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 10A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 1mA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 2N6667GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6667G | |
| 관련 링크 | 2N6, 2N6667G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
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