창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6768 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2N6764,66,68,70 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-204AE | |
공급 장치 패키지 | TO-3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2N6768 | |
관련 링크 | 2N6, 2N6768 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | GL042F23CDT | 4.096MHz ±20ppm 수정 18pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL042F23CDT.pdf | |
![]() | GP08J-E3/73 | DIODE GEN PURP 600V 800MA DO204 | GP08J-E3/73.pdf | |
![]() | UPS160E3/TR7 | DIODE SCHOTTKY 60V 1A POWERMITE1 | UPS160E3/TR7.pdf | |
![]() | WSL0603R0500FEA | RES SMD 0.05 OHM 1% 1/10W 0603 | WSL0603R0500FEA.pdf | |
![]() | RMCF0805FG5K62 | RES SMD 5.62K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FG5K62.pdf | |
![]() | RT1206DRD076K2L | RES SMD 6.2K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD076K2L.pdf | |
![]() | RCWL1210R120JNEA | RES SMD 0.12 OHM 5% 1/3W 1210 | RCWL1210R120JNEA.pdf | |
![]() | WSLP08056L000FEK18 | RES SMD 0.006 OHM 1% 1W 0805 | WSLP08056L000FEK18.pdf | |
![]() | CMF551K0200BER6 | RES 1.02K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K0200BER6.pdf | |
![]() | 93J620 | RES 620 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J620.pdf | |
![]() | E2Q5-N40ME1-M1 | Inductive Proximity Sensor 1.575" (40mm) IP67, IP69K Module | E2Q5-N40ME1-M1.pdf |