Vishay BC Components 2N7002-T1-GE3

2N7002-T1-GE3
제조업체 부품 번호
2N7002-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
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내부 부품 번호EIS-2N7002-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C115mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대200mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지TO-236
표준 포장 3,000
다른 이름2N7002-T1-GE3-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2N7002-T1-GE3
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