Vishay BC Components 2N7002-T1-GE3

2N7002-T1-GE3
제조업체 부품 번호
2N7002-T1-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Datesheet 다운로드
다운로드
2N7002-T1-GE3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 133.43616
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of 2N7002-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. 2N7002-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
2N7002-T1-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2N7002-T1-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2N7002-T1-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C115mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대200mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지TO-236
표준 포장 3,000
다른 이름2N7002-T1-GE3-ND
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)2N7002-T1-GE3
관련 링크2N7002, 2N7002-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
2N7002-T1-GE3 의 관련 제품
82µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C EKXJ451ELL820MU50S.pdf
4.7µF 35V Aluminum Capacitors Axial, Can 51 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C MAL212320478.pdf
7.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) GCM1555C1H7R6DA16D.pdf
2700pF 40000V(40kV) 세라믹 커패시터 Z5U 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 2.362" Dia(60.00mm) DHSF44G272ZT2B.pdf
0.047µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) C320C473M1U5CA.pdf
12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) GRM0335C1E120JD01J.pdf
3900pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) C961U392MZWDBAWL45.pdf
0.047µF Film Capacitor 125V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) MKP383347025JDI2B0.pdf
27MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 20mA Enable/Disable 7C-27.000MDA-T.pdf
DIODE SCHOTTKY 40V 40A PRM2-SM 81CNQ040SM.pdf
RES SMD 30.9 OHM 1% 3/4W 2010 RC2010FK-0730R9L.pdf
RES 24.9K OHM 1/2W .1% AXIAL CMF5524K900BEEB.pdf