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ON Semiconductor 2N7002ET1G

2N7002ET1G
제조업체 부품 번호
2N7002ET1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
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2N7002ET1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2N7002ET1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서2N7002E Datasheet
PCN 설계/사양Glue Mount Process 11/July/2008
Copper Wire 26/May/2009
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1553 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C260mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.5옴 @ 240mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.81nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds26.7pF @ 25V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
다른 이름2N7002ET1G-ND
2N7002ET1GOSTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2N7002ET1G
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