Diodes Incorporated 2N7002T-7
- 제조업체 부품 번호
- 2N7002T-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2N7002T-7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2N7002T-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. 2N7002T-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002T-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2N7002T-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2N7002T-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002T-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2N7002T Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 2N7002TDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002T-7 | |
| 관련 링크 | 2N70, 2N7002T-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
2N7002T-7 의 관련 제품
 | LLG2D471MELZ25 | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | LLG2D471MELZ25.pdf | |
-14.jpg) | C2012C0G2E332K085AA | 3300pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012C0G2E332K085AA.pdf | |
 | GRM32EC80G107KE20L | 100µF 4V 세라믹 커패시터 X6S | GRM32EC80G107KE20L.pdf | |
 | 30KPA216E3/TR13 | TVS DIODE 216VWM P600 | 30KPA216E3/TR13.pdf | |
 | 416F32033AKR | 32MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033AKR.pdf | |
 | BSP135H6906XTSA1 | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | BSP135H6906XTSA1.pdf | |
 | SI8631EC-B-IS1 | General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 3 Channel 150Mbps 35kV/µs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8631EC-B-IS1.pdf | |
 | CRCW12103R30JNEA | RES SMD 3.3 OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW12103R30JNEA.pdf | |
| H47K15BDA | RES 7.15K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H47K15BDA.pdf | |
 | SSCSNNN001PG2A3 | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge 12 b 4-SIP Module | SSCSNNN001PG2A3.pdf | |
| P51-3000-A-P-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Male - M20 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-A-P-M12-4.5OVP-000-000.pdf | |
| E2AX-M30LS15-M1-B3 | Inductive Proximity Sensor 0.591" (15mm) IP65 Cylinder, Threaded - M30 | E2AX-M30LS15-M1-B3.pdf |
