창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N7002W-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2N7002W Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 115mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2N7002W-FDITR 2N7002W7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2N7002W-7-F | |
관련 링크 | 2N700, 2N7002W-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
![]() | CGA3E2C0G1H272J080AD | 2700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G1H272J080AD.pdf | |
![]() | RDE5C1H181J0M1H03A | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RDE5C1H181J0M1H03A.pdf | |
![]() | VJ1808A331KBLAT4X | 330pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A331KBLAT4X.pdf | |
![]() | TA-12.200MDD-T | 12.2MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-12.200MDD-T.pdf | |
![]() | SIT9003AC-23-18SQ-38.00000Y | OSC XO 1.8V 38MHZ ST -1.0% | SIT9003AC-23-18SQ-38.00000Y.pdf | |
![]() | BZX85C3V9 | DIODE ZENER 3.9V 1W DO41 | BZX85C3V9.pdf | |
![]() | BZX584C13-V-G-08 | DIODE ZENER 13V 200MW SOD523 | BZX584C13-V-G-08.pdf | |
![]() | LGJ12575TS-100M5R4-H | 10µH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 15.6 mOhm Nonstandard | LGJ12575TS-100M5R4-H.pdf | |
![]() | 160-222FS | 2.2µH Unshielded Inductor 370mA 930 mOhm Max 2-SMD | 160-222FS.pdf | |
![]() | PE1206DRF070R012L | RES SMD 0.012 OHM 0.5% 1/4W 1206 | PE1206DRF070R012L.pdf | |
![]() | RNF18FTD5R90 | RES 5.9 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD5R90.pdf | |
![]() | WGM110A1MV1 | WIZARD GECKO WGM110 WI-FI MODULE | WGM110A1MV1.pdf |