GeneSiC Semiconductor 2N7636-GA
- 제조업체 부품 번호
- 2N7636-GA
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- TRANS SJT 650V 4A TO276
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
2N7636-GA 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 99,999.99999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 2N7636-GA, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. 2N7636-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7636-GA, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 2N7636-GA 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
2N7636-GA 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7636-GA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 2N7636-GA | |
| 설계 리소스 | 2N7636-GA Spice Model | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc)(165°C) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 415m옴 @ 4A | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 324pF @ 35V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 225°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-276AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-276 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 다른 이름 | 1242-1147 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7636-GA | |
| 관련 링크 | 2N76, 2N7636-GA Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
2N7636-GA 의 관련 제품
-Kemet.jpg) | C1206C104J5JAC7800 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 U2J 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C104J5JAC7800.pdf | |
| BB000057BH33036AC1 | 33pF 10000V(10kV) 세라믹 커패시터 | BB000057BH33036AC1.pdf | |
 | PAS0815LA2R3185 | 1.8F Supercap 2.3V Radial, Can 1 Ohm 0.315" Dia (8.00mm) | PAS0815LA2R3185.pdf | |
 | MLEAWT-A1-R250-0004A4 | LED Lighting XLamp® ML-E White, Neutral 4125K (3750K ~ 4250K) 3.2V 150mA 120° 4-SMD, J-Lead Exposed Pad | MLEAWT-A1-R250-0004A4.pdf | |
 | ETQ-P3MR68KVP | 680nH Shielded Wirewound Inductor 10.2A 8.36 mOhm Max Nonstandard | ETQ-P3MR68KVP.pdf | |
 | SC52-3R3 | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 2A 74 mOhm Max Nonstandard | SC52-3R3.pdf | |
.jpg) | CRCW06032K21FKEA | RES SMD 2.21K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06032K21FKEA.pdf | |
 | RG2012N-69R8-W-T1 | RES SMD 69.8 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-69R8-W-T1.pdf | |
 | 4610X-101-502LF | RES ARRAY 9 RES 5K OHM 10SIP | 4610X-101-502LF.pdf | |
 | CMF55392R00FKEB70 | RES 392 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55392R00FKEB70.pdf | |
| CMF65R10000JNR6 | RES 0.1 OHM 1.5W 5% AXIAL | CMF65R10000JNR6.pdf | |
| P51-2000-S-AA-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-2000-S-AA-I12-20MA-000-000.pdf |
