창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SA1943-O(Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2SA1943 | |
카탈로그 페이지 | 1651 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 15A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 230V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5µA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V | |
전력 - 최대 | 150W | |
주파수 - 트랜지션 | 30MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3PL | |
공급 장치 패키지 | TO-3PL | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 2SA1943-O (Q) 2SA1943-OQ 2SA1943OQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2SA1943-O(Q) | |
관련 링크 | 2SA194, 2SA1943-O(Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | 402F38412IDT | 38.4MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F38412IDT.pdf | |
![]() | 416F37011CAT | 37MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37011CAT.pdf | |
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![]() | YC324-FK-0771K5L | RES ARRAY 4 RES 71.5K OHM 2012 | YC324-FK-0771K5L.pdf | |
![]() | MBB02070C2009FC100 | RES 20 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2009FC100.pdf | |
![]() | PNP10VJT-91-910R | RES 910 OHM 10W 5% AXIAL | PNP10VJT-91-910R.pdf | |
![]() | TSCSANN060PGUCV | Pressure Sensor 60 PSI (413.69 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0 mV ~ 30 mV (5V) 4-SIP, Side Port | TSCSANN060PGUCV.pdf |