창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SA1943N(S1,E,S) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2SA1943N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 15A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 230V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5µA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V | |
전력 - 최대 | 150W | |
주파수 - 트랜지션 | 30MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P(N) | |
표준 포장 | 150 | |
다른 이름 | 2SA1943N(S1ES) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2SA1943N(S1,E,S) | |
관련 링크 | 2SA1943N, 2SA1943N(S1,E,S) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | VJ0603D7R5CXPAP | 7.5pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D7R5CXPAP.pdf | |
![]() | VJ1825Y564KBCAT4X | 0.56µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y564KBCAT4X.pdf | |
![]() | 416F3841XCAR | 38.4MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3841XCAR.pdf | |
![]() | MMSZ5262B-E3-18 | DIODE ZENER 51V 500MW SOD123 | MMSZ5262B-E3-18.pdf | |
![]() | SMAJ5941E3/TR13 | DIODE ZENER 47V 3W DO214AC | SMAJ5941E3/TR13.pdf | |
![]() | IVS8-5R0-5R0-3R0-3R0-00-A | IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IVS8-5R0-5R0-3R0-3R0-00-A.pdf | |
![]() | TNPW04022K00BETD | RES SMD 2K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04022K00BETD.pdf | |
![]() | TNPW060316R5BEEN | RES SMD 16.5 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060316R5BEEN.pdf | |
![]() | 744C083152JP | RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 2012 | 744C083152JP.pdf | |
![]() | CMF558K2000JNEA | RES 8.2K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF558K2000JNEA.pdf | |
![]() | H4309KBCA | RES 309K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4309KBCA.pdf | |
![]() | Y00589K00000F0L | RES 9K OHM 0.3W 1% AXIAL | Y00589K00000F0L.pdf |