ON Semiconductor 2SC3646T-P-TD-E

2SC3646T-P-TD-E
제조업체 부품 번호
2SC3646T-P-TD-E
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
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TRANS NPN 100V 1A
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2SC3646T-P-TD-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC3646T-P-TD-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
표준 포장 1,000
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic400mV @ 40mA, 400mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 100mA, 5V
전력 - 최대500mW
주파수 - 트랜지션120MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지PCP
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2SC3646T-P-TD-E
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