ON Semiconductor 2SJ652-1E

2SJ652-1E
제조업체 부품 번호
2SJ652-1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
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내부 부품 번호EIS-2SJ652-1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서2SJ652
PCN 조립/원산지Frabrication Site Change 27/Aug/2014
Wafer Fab Transfer 12/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C28A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs38m옴 @ 14A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4360pF @ 20V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F-3SG
표준 포장 50
다른 이름2SJ652-1E-ND
2SJ652-1EOS
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)2SJ652-1E
관련 링크2SJ6, 2SJ652-1E Datasheet, ON Semiconductor Distributor
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