창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK3075(TE12L,Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2SK3075 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
트랜지스터 유형 | N채널 | |
주파수 | 520MHz | |
이득 | 11.7dB | |
전압 - 테스트 | 9.6V | |
정격 전류 | 5A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 50mA | |
전력 - 출력 | 7.5W | |
전압 - 정격 | 30V | |
패키지/케이스 | TO-271AA | |
공급 장치 패키지 | PW-X | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 2SK3075(TE12LQ)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2SK3075(TE12L,Q) | |
관련 링크 | 2SK3075(, 2SK3075(TE12L,Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
VJ0805D3R9CLPAP | 3.9pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R9CLPAP.pdf | ||
ECJ-0EC1H020C | 2pF 50V 세라믹 커패시터 C0K 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECJ-0EC1H020C.pdf | ||
RPER71H391K2P1A03B | 390pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPER71H391K2P1A03B.pdf | ||
F339MX223331MCA2B0 | 3300pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | F339MX223331MCA2B0.pdf | ||
MKP385275085JC02W0 | 7500pF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.236" W (10.00mm x 6.00mm) | MKP385275085JC02W0.pdf | ||
GBPC12005-E4/51 | RECTIFIER BRIDGE 12A 50V GBPC | GBPC12005-E4/51.pdf | ||
ESH2B-M3/52T | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | ESH2B-M3/52T.pdf | ||
UDZSTE-173.0B | DIODE ZENER 3V 200MW UMD2 | UDZSTE-173.0B.pdf | ||
SCB75C-271 | 270µH Shielded Inductor 580mA 1.25 Ohm Max Nonstandard | SCB75C-271.pdf | ||
RN73C1J23R7BTG | RES SMD 23.7 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J23R7BTG.pdf | ||
CP00056K200JE14 | RES 6.2K OHM 5W 5% AXIAL | CP00056K200JE14.pdf | ||
E-TA2012 T 2DB N4 | RF Attenuator 2dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 2DB N4.pdf |