창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK4017(Q) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 2SK4017 Mosfets Prod Guide | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1649 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 730pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
공급 장치 패키지 | PW-MOLD2 | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | 2SK4017(Q)-ND 2SK4017Q | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 2SK4017(Q) | |
관련 링크 | 2SK40, 2SK4017(Q) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | EKXJ401ETD100MJ16S | 10µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | EKXJ401ETD100MJ16S.pdf | |
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RH0101R000FC02 | RES CHAS MNT 1 OHM 1% 12.5W | RH0101R000FC02.pdf | ||
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![]() | AA0402FR-076K65L | RES SMD 6.65K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-076K65L.pdf | |
![]() | RT1210WRB07825RL | RES SMD 825 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB07825RL.pdf | |
![]() | 768163103GPTR13 | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 16SOIC | 768163103GPTR13.pdf | |
![]() | MP9100-30.0-1% | RES 30 OHM 100W 1% TO247 | MP9100-30.0-1%.pdf | |
![]() | ERX-1SJ3R0 | RES 3 OHM 1W 5% AXIAL | ERX-1SJ3R0.pdf | |
![]() | 93J1R0E | RES 1 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J1R0E.pdf | |
HLSR 50-SM | Current Sensor 50A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HLSR 50-SM.pdf |