창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-35YXJ47M5X11 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | YXJ Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Rubycon | |
계열 | YXJ | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 47µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 35V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 250mA | |
임피던스 | 400m옴 | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.492"(12.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1189-2919 35YXJ47M5X11-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 35YXJ47M5X11 | |
관련 링크 | 35YXJ4, 35YXJ47M5X11 Datasheet, Rubycon Distributor |
![]() | GQM1555C2D8R8WB01D | 8.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D8R8WB01D.pdf | |
![]() | VJ0402D5R1BLXAC | 5.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D5R1BLXAC.pdf | |
![]() | SQCB7M3R6DAJME | 3.6pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M3R6DAJME.pdf | |
![]() | ABC2-15.360MHZ-4-T | 15.36MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABC2-15.360MHZ-4-T.pdf | |
![]() | SIT8008AC-83-33E-50.000000T | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT8008AC-83-33E-50.000000T.pdf | |
![]() | SIT8008BI-11-33E-33.333333E | OSC XO 3.3V 33.333333MHZ OE | SIT8008BI-11-33E-33.333333E.pdf | |
![]() | RL895-681K-RC | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1.18 Ohm Max Radial | RL895-681K-RC.pdf | |
![]() | SCCLA012XXAMXAC991 | RELAY | SCCLA012XXAMXAC991.pdf | |
![]() | RG2012P-4990-D-T5 | RES SMD 499 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-4990-D-T5.pdf | |
![]() | CRGH2010F10R2 | RES SMD 10.2 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F10R2.pdf | |
![]() | CMF0720R000GNR6 | RES 20 OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF0720R000GNR6.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 4DB N2 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N2.pdf |