창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ110D5/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 225옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 83.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ110D5/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ110, 3EZ110D5/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | L5014424DELB0XE | TCO 250VAC 15A 144C(291F) CYLNDR | L5014424DELB0XE.pdf | |
![]() | 416F50013CDR | 50MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50013CDR.pdf | |
![]() | 416F27133IAR | 27.12MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27133IAR.pdf | |
![]() | FXO-HC535-75 | 75MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC535-75.pdf | |
![]() | OP169A | Infrared (IR) Emitter 935nm 1.4V 50mA 0.18mW/cm² @ 20mA 18° Radial | OP169A.pdf | |
![]() | MLG0603S47NHT000 | 47nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 2.2 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S47NHT000.pdf | |
![]() | RT0603DRD073K6L | RES SMD 3.6K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD073K6L.pdf | |
![]() | RG3216N-7871-D-T5 | RES SMD 7.87K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-7871-D-T5.pdf | |
![]() | TNPW251260K4BETG | RES SMD 60.4K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251260K4BETG.pdf | |
![]() | CBT25J10R | RES 10.0 OHM 1/4W 5% AXIAL | CBT25J10R.pdf | |
![]() | H488K7BDA | RES 88.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H488K7BDA.pdf | |
![]() | F3SJ-A1820P25 | F3SJ-A1820P25 | F3SJ-A1820P25.pdf |