창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ120D/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 91.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ120D/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ120, 3EZ120D/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
VJ0603D1R6DXAAJ | 1.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R6DXAAJ.pdf | ||
VJ0805A680MXGAT5Z | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805A680MXGAT5Z.pdf | ||
VJ0805D3R9BXXAC | 3.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R9BXXAC.pdf | ||
ABLS-LR-8.000MHZ-T | 8MHz ±50ppm 수정 18pF 15옴 0°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-LR-8.000MHZ-T.pdf | ||
PSMN015-100B,118 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | PSMN015-100B,118.pdf | ||
NTTFS4985NFTWG | MOSFET N-CH 30V 64A U8FL | NTTFS4985NFTWG.pdf | ||
HKQ0603W6N2J-T | 6.2nH Unshielded Multilayer Inductor 340mA 400 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603W6N2J-T.pdf | ||
RT0402CRE0784R5L | RES SMD 84.5OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE0784R5L.pdf | ||
CMF551K5800DHRE | RES 1.58K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF551K5800DHRE.pdf | ||
E-TA2012 T 9DB N6 | RF Attenuator 9dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 9DB N6.pdf | ||
MTC-G3-B08-KIT | MODEM GPRS QUAD GLOBAL USB INTFC | MTC-G3-B08-KIT.pdf | ||
LS02-1A66-S-500W | Liquid Level Sensor Switch (Single Float) SPST-NO Free Hanging | LS02-1A66-S-500W.pdf |