창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ19D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ19D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ19D1, 3EZ19D10E3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
SQCB2M221JATME | 220pF 200V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB2M221JATME.pdf | ||
TS353T11CET | 35.328MHz ±10ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS353T11CET.pdf | ||
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VLS201612ET-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 438 mOhm Max Nonstandard | VLS201612ET-4R7M.pdf | ||
IHTH0750JZEB101M5A | 100µH Shielded Inductor 4.9A 64 mOhm Max Radial | IHTH0750JZEB101M5A.pdf | ||
RC1608J132CS | RES SMD 1.3K OHM 5% 1/10W 0603 | RC1608J132CS.pdf | ||
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UCR01MVPJLR12 | RES SMD 0.12 OHM 5% 1/8W 0402 | UCR01MVPJLR12.pdf | ||
MC102821754JE | RES SMD 1.75M OHM 5% 1.5W 5025 | MC102821754JE.pdf | ||
CRCW04028K06FKEDHP | RES SMD 8.06K OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW04028K06FKEDHP.pdf | ||
MD7IC2012NR1 | RF Amplifier IC W-CDMA 1.805GHz ~ 2.17GHz TO-270 WB-14 | MD7IC2012NR1.pdf |