창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ200D2/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 875옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ200D2/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ200, 3EZ200D2/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | 416F40613AST | 40.61MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40613AST.pdf | |
![]() | DTD723YETL | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | DTD723YETL.pdf | |
![]() | FDC365P | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT | FDC365P.pdf | |
![]() | NLV32T-2R7J-EFD | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-2R7J-EFD.pdf | |
![]() | TNPW080546K4BEEA | RES SMD 46.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080546K4BEEA.pdf | |
![]() | RCWE251210L0JTEA | RES SMD 0.01 OHM 5% 2W 2512 | RCWE251210L0JTEA.pdf | |
![]() | TNPW06033K48BEEN | RES SMD 3.48KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06033K48BEEN.pdf | |
![]() | ES3W3R3J | RES 3.30 OHM 3W 5% AXIAL | ES3W3R3J.pdf | |
![]() | CMF5539R200FKBF | RES 39.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5539R200FKBF.pdf | |
![]() | Y001481R0400B9L | RES 81.04 OHM 1/5W 0.1% AXIAL | Y001481R0400B9L.pdf | |
![]() | P51-75-S-C-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-C-M12-4.5OVP-000-000.pdf |