창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ200D5E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 875옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ200D5E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ200D, 3EZ200D5E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | C901U809DZNDBA7317 | 8pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U809DZNDBA7317.pdf | |
![]() | T86D156M025EBAS | 15µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D156M025EBAS.pdf | |
![]() | 06035J0R6BAWTR | 0.60pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J0R6BAWTR.pdf | |
![]() | ABM7-22.1184MHZ-D2Y-T | 22.1184MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-22.1184MHZ-D2Y-T.pdf | |
![]() | AST3TQ-V-30.720MHZ-28 | 30.72MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA | AST3TQ-V-30.720MHZ-28.pdf | |
10EMC1 | FILTER LINE RFI COMPACT DUAL 10A | 10EMC1.pdf | ||
![]() | LQH2HPN100MJ0L | 10µH Shielded Wirewound Inductor 550mA 770 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | LQH2HPN100MJ0L.pdf | |
![]() | ELC-10D222E | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 360mA 2.1 Ohm Radial | ELC-10D222E.pdf | |
![]() | AA2010JK-071R3L | RES SMD 1.3 OHM 5% 3/4W 2010 | AA2010JK-071R3L.pdf | |
![]() | RG1608N-204-B-T5 | RES SMD 200K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-204-B-T5.pdf | |
![]() | PHP00603E1600BST1 | RES SMD 160 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1600BST1.pdf |