창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ20D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 15.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ20D10/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ20D, 3EZ20D10/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | B43540B2128M87 | 1200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 75 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540B2128M87.pdf | |
![]() | B41607A208M2 | 2000µF 55V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 10000 Hrs @ 125°C | B41607A208M2.pdf | |
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![]() | HAZ332MBACJ0KR | 3300pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | HAZ332MBACJ0KR.pdf | |
![]() | TAJS155K006RNJ | 1.5µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1206 (3216 Metric) 25 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TAJS155K006RNJ.pdf | |
![]() | T95R187M6R3ESAL | 180µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2824 (7260 Metric) 80 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R187M6R3ESAL.pdf | |
![]() | IMC1812RQ68NM | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 350 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RQ68NM.pdf | |
![]() | CRCW020182R5FKED | RES SMD 82.5 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020182R5FKED.pdf | |
![]() | CMF551K2700FKEB | RES 1.27K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K2700FKEB.pdf | |
![]() | CMF5534K400BHR6 | RES 34.4K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5534K400BHR6.pdf | |
![]() | P51-1000-A-W-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-A-W-MD-4.5OVP-000-000.pdf |