창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ36D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 22옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 27.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ36D10/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ36D, 3EZ36D10/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | UVZ2V100MPD | 10µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ2V100MPD.pdf | |
![]() | CBR04C409A5GAC | 4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C409A5GAC.pdf | |
![]() | VJ0805D2R7DXBAC | 2.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R7DXBAC.pdf | |
![]() | 416F40025CTR | 40MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40025CTR.pdf | |
![]() | IXXH80N65B4H1 | IGBT 650V 160A 625W TO247AD | IXXH80N65B4H1.pdf | |
![]() | 5500R-824J | 820µH Unshielded Inductor 1.24A 643 mOhm Max 2-SMD | 5500R-824J.pdf | |
![]() | CRCW02013K83FKED | RES SMD 3.83K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02013K83FKED.pdf | |
![]() | RG2012P-1052-D-T5 | RES SMD 10.5K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-1052-D-T5.pdf | |
![]() | RG2012P-2873-D-T5 | RES SMD 287K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-2873-D-T5.pdf | |
![]() | TNPW1210360KBEEA | RES SMD 360K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210360KBEEA.pdf | |
![]() | MBB02070C9319DC100 | RES 93.1 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C9319DC100.pdf | |
![]() | EVE-QDBRL416B | ENCODER 16MM VERT W/SPST SWITCH | EVE-QDBRL416B.pdf |