Microsemi Corporation 3EZ5.6DE3/TR8
- 제조업체 부품 번호
- 3EZ5.6DE3/TR8
- 제조업 자
- Microsemi Corporation
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 5.6V 3W DO204AL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
3EZ5.6DE3/TR8 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 908.10733
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 3EZ5.6DE3/TR8, we specialize in all series Microsemi Corporation electronic components. 3EZ5.6DE3/TR8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3EZ5.6DE3/TR8, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 3EZ5.6DE3/TR8 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
3EZ5.6DE3/TR8 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ5.6DE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ5.6DE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ5.6, 3EZ5.6DE3/TR8 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor | |
3EZ5.6DE3/TR8 의 관련 제품
 | 860040573003 | 56µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 860040573003.pdf | |
 | UMF1C470MDD | 47µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UMF1C470MDD.pdf | |
 | TMOV34S751MPX2696 | VARISTOR 1200V 40KA SQUARE 34MM | TMOV34S751MPX2696.pdf | |
 | 7M-25.000MEEQ-T | 25MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-25.000MEEQ-T.pdf | |
 | MBRB10100CT-TP | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK | MBRB10100CT-TP.pdf | |
-TDK.jpg) | MLF2012E100M | 10µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 800 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012E100M.pdf | |
 | EL3H7(I)-VG | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP | EL3H7(I)-VG.pdf | |
 | MCR100JZHJ102 | RES SMD 1K OHM 5% 1W 2512 | MCR100JZHJ102.pdf | |
.jpg) | RT0603BRC07316RL | RES SMD 316 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC07316RL.pdf | |
.jpg) | RT1210WRD0791RL | RES SMD 91 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD0791RL.pdf | |
 | EXB-2HV200JV | RES ARRAY 8 RES 20 OHM 1506 | EXB-2HV200JV.pdf | |
 | Y1747V0227AT9W | RES ARRAY 4 RES 350 OHM 8SOIC | Y1747V0227AT9W.pdf |
