창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.8D2/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ6.8D2/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ6.8, 3EZ6.8D2/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
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![]() | MLVA06V18C150-R | VARISTOR 28V 30A 0603 | MLVA06V18C150-R.pdf | |
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![]() | DMN313DLT-7 | MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523 | DMN313DLT-7.pdf | |
![]() | LQP02HQ4N3J02E | 4.3nH Unshielded Thin Film Inductor 350mA 350 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ4N3J02E.pdf | |
![]() | RNCP1206FTD2K00 | RES SMD 2K OHM 1% 1/2W 1206 | RNCP1206FTD2K00.pdf | |
![]() | ERJ-1GNJ2R2C | RES SMD 2.2 OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GNJ2R2C.pdf | |
![]() | PT2010FK-7W0R56L | RES SMD 0.56 OHM 1% 1W 2010 | PT2010FK-7W0R56L.pdf | |
![]() | RT0805WRB0715RL | RES SMD 15 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB0715RL.pdf | |
![]() | PHP00805E1152BBT1 | RES SMD 11.5K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1152BBT1.pdf | |
![]() | P51-50-A-W-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-A-W-MD-4.5OVP-000-000.pdf |