창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.8D5E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3EZ6.8D5E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ6.8D, 3EZ6.8D5E3/TR12 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor |
![]() | S40G | DIODE GEN PURP 400V 40A DO5 | S40G.pdf | |
![]() | BAT1707E6327HTSA1 | DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-143 | BAT1707E6327HTSA1.pdf | |
![]() | KSC1008OBU | TRANS NPN 60V 0.7A TO-92 | KSC1008OBU.pdf | |
![]() | 2N4856JTXL02 | MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 | 2N4856JTXL02.pdf | |
![]() | XPGBWT-P1-R250-00AE7 | LED Lighting XLamp® XP-G2 White, Warm 3000K 2.9V 350mA 125° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGBWT-P1-R250-00AE7.pdf | |
![]() | LQW18AN82NG00D | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 600 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN82NG00D.pdf | |
![]() | 103-183K | 18µH Unshielded Inductor 130mA 5.8 Ohm Max Nonstandard | 103-183K.pdf | |
![]() | ERJ-1TYJ240U | RES SMD 24 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-1TYJ240U.pdf | |
![]() | RP73D2A8K06BTDF | RES SMD 8.06K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A8K06BTDF.pdf | |
![]() | CSC05A011K00GPA | RES ARRAY 4 RES 1K OHM 5SIP | CSC05A011K00GPA.pdf | |
![]() | Y00071K66670T9L | RES 1.6667K OHM 0.6W 0.01% RAD | Y00071K66670T9L.pdf | |
![]() | CY-192B-P-Y | SENSOR PHOTO PNP 4M 12-24V | CY-192B-P-Y.pdf |