ON Semiconductor 3LN01SS-TL-E
- 제조업체 부품 번호
- 3LN01SS-TL-E
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
3LN01SS-TL-E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 80.30880
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 3LN01SS-TL-E, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. 3LN01SS-TL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 3LN01SS-TL-E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 3LN01SS-TL-E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
3LN01SS-TL-E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-3LN01SS-TL-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 3LN01SS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7옴 @ 80mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-81 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-81(SSFP) | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | 3LN01SS-TL-E-ND 3LN01SS-TL-EOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 3LN01SS-TL-E | |
| 관련 링크 | 3LN01S, 3LN01SS-TL-E Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
3LN01SS-TL-E 의 관련 제품
 | 2R5SVPE270M | 270µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 10 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | 2R5SVPE270M.pdf | |
.jpg) | C0805C330J5GACTU | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C330J5GACTU.pdf | |
 | 5OQ471KOAAM | 470pF 500V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.157" Dia(4.00mm) | 5OQ471KOAAM.pdf | |
 | MC-306 32.7680K-E3: PURE SN | 32.768kHz ±100ppm 수정 6pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MC-306 32.7680K-E3: PURE SN.pdf | |
 | SI2302CDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 | SI2302CDS-T1-GE3.pdf | |
 | 7440450039 | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 1.32A 140 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | 7440450039.pdf | |
 | CR32NP-1R0MC | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 72 mOhm Max Nonstandard | CR32NP-1R0MC.pdf | |
 | RG1608V-1780-W-T1 | RES SMD 178 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-1780-W-T1.pdf | |
 | RCP2512W120RGWB | RES SMD 120 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W120RGWB.pdf | |
 | CRCW04027K50FHTDP | RES SMD 7.5K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04027K50FHTDP.pdf | |
 | RNMF14FTC16K0 | RES 16K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTC16K0.pdf | |
 | AMS22B5A1BLASL116N | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22B5A1BLASL116N.pdf |
