창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3LP01C-TB-H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 3LP01C | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.4옴 @ 50mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7.5pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | 3-CP | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 3LP01C-TB-H | |
관련 링크 | 3LP01, 3LP01C-TB-H Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
RCE5C2A151J0K1H03B | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A151J0K1H03B.pdf | ||
258GDQSJ20ES | FUSE 25.8KV 20A E RATED SIEMENS | 258GDQSJ20ES.pdf | ||
ECS-260-8-47-JTN-TR | 26MHz ±20ppm 수정 8pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-260-8-47-JTN-TR.pdf | ||
SIT8009BI-22-33E-125.000000D | OSC XO 3.3V 125MHZ | SIT8009BI-22-33E-125.000000D.pdf | ||
ALD212900ASAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | ALD212900ASAL.pdf | ||
SSL-LX20583ID | Red LED Indication - Discrete 2V Radial | SSL-LX20583ID.pdf | ||
ATFC-0201-1N2-BT | 1.2nH Unshielded Thin Film Inductor 300mA 350 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | ATFC-0201-1N2-BT.pdf | ||
S0402-47NF1S | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 830 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-47NF1S.pdf | ||
PCF0805R-3K48BT1 | RES SMD 3.48KOHM 0.1% 1/10W 0805 | PCF0805R-3K48BT1.pdf | ||
PAT1206E1502BST1 | RES SMD 15K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PAT1206E1502BST1.pdf | ||
CRCW0603470RFKTA | RES SMD 470 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603470RFKTA.pdf | ||
MFR-25FBF52-196R | RES 196 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-196R.pdf |