Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 416F250XXAAR
- 제조업체 부품 번호
- 416F250XXAAR
- 제조업 자
- Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components
- 제품 카테고리
- 수정
- 간단한 설명
- 25MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
416F250XXAAR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 644.94133
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 416F250XXAAR, we specialize in all series Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components electronic components. 416F250XXAAR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 416F250XXAAR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 416F250XXAAR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
416F250XXAAR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-416F250XXAAR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 416 Series Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 수정 | |
| 제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
| 계열 | 416 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MHz 수정 | |
| 주파수 | 25MHz | |
| 주파수 안정도 | ±15ppm | |
| 주파수 허용 오차 | ±15ppm | |
| 부하 정전 용량 | 10pF | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 200옴 | |
| 작동 모드 | 기본 | |
| 작동 온도 | -10°C ~ 60°C | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
| 높이 | 0.018"(0.45mm) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 416F250XXAAR | |
| 관련 링크 | 416F25, 416F250XXAAR Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor | |
416F250XXAAR 의 관련 제품
.jpg) | 08055C182K4Z2A | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08055C182K4Z2A.pdf | |
 | RPE5C2A5R0C2P1B03B | 5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C2A5R0C2P1B03B.pdf | |
 | 8Z12010002 | 12MHz ±30ppm 수정 16pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z12010002.pdf | |
 | SIT8008BI-23-18E-28.636360D | OSC XO 1.8V 28.63636MHZ OE | SIT8008BI-23-18E-28.636360D.pdf | |
| SIT8208AI-2F-33S-12.00000T | OSC XO 3.3V 12MHZ ST | SIT8208AI-2F-33S-12.00000T.pdf | |
 | IPW90R800C3 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247 | IPW90R800C3.pdf | |
| S1812-682J | 6.8µH Shielded Inductor 408mA 1.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-682J.pdf | |
 | CNY75B | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | CNY75B.pdf | |
 | RR1220P-1782-D-M | RES SMD 17.8KOHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-1782-D-M.pdf | |
| CRGV2512F8M25 | RES SMD 8.25M OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F8M25.pdf | |
 | MNR18ERAPJ681 | RES ARRAY 8 RES 680 OHM 1606 | MNR18ERAPJ681.pdf | |
| RR03J51KTB | RES 51.0K OHM 3W 5% AXIAL | RR03J51KTB.pdf |
