창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-416F27112IAR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 416 Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 416 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 27.12MHz | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 허용 오차 | ±10ppm | |
부하 정전 용량 | 10pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 200옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
높이 | 0.018"(0.45mm) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 416F27112IAR | |
관련 링크 | 416F27, 416F27112IAR Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor |
![]() | 31762-77 | AC/DC | 31762-77.pdf | |
![]() | EKXG451ELL151MM45S | 150µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can | EKXG451ELL151MM45S.pdf | |
![]() | B43505A2687M87 | 680µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 190 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | B43505A2687M87.pdf | |
![]() | S181K25X7RP6UK5R | 180pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 | S181K25X7RP6UK5R.pdf | |
![]() | 06123C154MAT2W | 0.15µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | 06123C154MAT2W.pdf | |
![]() | MR051A820JAATR1 | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR051A820JAATR1.pdf | |
![]() | V430CH8S | VARISTOR 430V 250A 2SMD | V430CH8S.pdf | |
![]() | CS325S26000000EEQT | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CS325S26000000EEQT.pdf | |
![]() | FXO-HC736R-106.25 | 106.25MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC736R-106.25.pdf | |
![]() | 195G20 | 5mH Unshielded Inductor 20A 25 mOhm Nonstandard | 195G20.pdf | |
![]() | CMF6022R100FKRE | RES 22.1 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6022R100FKRE.pdf | |
![]() | Y00622K20000F0L | RES 2.2K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y00622K20000F0L.pdf |