창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-416F4061XCAT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 416 Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 416 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 40.61MHz | |
주파수 안정도 | ±15ppm | |
주파수 허용 오차 | ±10ppm | |
부하 정전 용량 | 10pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 100옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
높이 | 0.018"(0.45mm) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 416F4061XCAT | |
관련 링크 | 416F40, 416F4061XCAT Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor |
C3225JB1H106K250AB | 10µF 50V 세라믹 커패시터 JB 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225JB1H106K250AB.pdf | ||
ECQ-E12682JFB | 6800pF Film Capacitor 125V 1250V (1.25kV) Polyester, Metallized Radial 0.610" L x 0.295" W (15.50mm x 7.50mm) | ECQ-E12682JFB.pdf | ||
CMR05C2R5DPDM | CMR MICA | CMR05C2R5DPDM.pdf | ||
TAP475J016BRW | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V Radial 5 Ohm 0.177" Dia (4.50mm) | TAP475J016BRW.pdf | ||
195D105X9020B2T | 1µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1706 (4214 Metric) 0.165" L x 0.055" W (4.20mm x 1.40mm) | 195D105X9020B2T.pdf | ||
AST3TQ53-V-26.000MHZ-1-SW | 26MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-V-26.000MHZ-1-SW.pdf | ||
KBP208 | DIODE BRIDGE 800V 2A KBP | KBP208.pdf | ||
IMC1812ESR33K | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ESR33K.pdf | ||
RMCF1210JT6M80 | RES SMD 6.8M OHM 5% 1/3W 1210 | RMCF1210JT6M80.pdf | ||
RT1206CRD07330RL | RES SMD 330 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD07330RL.pdf | ||
Y111910R0000D9W | RES SMD 10 OHM 0.5% 1/4W 1610 | Y111910R0000D9W.pdf | ||
Y09590R07500F0L | RES 0.075 OHM 10W 1% RADIAL | Y09590R07500F0L.pdf |