Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 416F406X2IAT
- 제조업체 부품 번호
- 416F406X2IAT
- 제조업 자
- Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components
- 제품 카테고리
- 수정
- 간단한 설명
- 40.61MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
416F406X2IAT 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 911.19600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 416F406X2IAT, we specialize in all series Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components electronic components. 416F406X2IAT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 416F406X2IAT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 416F406X2IAT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
416F406X2IAT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-416F406X2IAT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 416 Series Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 수정 | |
| 제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
| 계열 | 416 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MHz 수정 | |
| 주파수 | 40.61MHz | |
| 주파수 안정도 | ±20ppm | |
| 주파수 허용 오차 | ±15ppm | |
| 부하 정전 용량 | 10pF | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 100옴 | |
| 작동 모드 | 기본 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
| 높이 | 0.018"(0.45mm) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 416F406X2IAT | |
| 관련 링크 | 416F40, 416F406X2IAT Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor | |
416F406X2IAT 의 관련 제품
 | EEE-0JA101SP | 100µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | EEE-0JA101SP.pdf | |
-14.jpg) | C2012C0G2A332K125AA | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012C0G2A332K125AA.pdf | |
 | USB50812C-A/TR7 | TVS DIODE 12VWM 26VC 8SOIC | USB50812C-A/TR7.pdf | |
 | GL080F35CDT | 8MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL080F35CDT.pdf | |
 | 1N6479HE3/96 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | 1N6479HE3/96.pdf | |
 | RCL061264K9FKEA | RES SMD 64.9K OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL061264K9FKEA.pdf | |
.jpg) | RT0603BRE0716K9L | RES SMD 16.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE0716K9L.pdf | |
| Y16281K00000T9R | RES SMD 1K OHM 0.01% 3/4W 2512 | Y16281K00000T9R.pdf | |
 | CFR-50JB-52-2M4 | RES 2.4M OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR-50JB-52-2M4.pdf | |
 | RNF14BTC47K5 | RES 47.5K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTC47K5.pdf | |
 | Y092610R1000B9L | RES 10.1 OHM 8W 0.1% TO220-4 | Y092610R1000B9L.pdf | |
| Y1728100R000T0L | RES 100 OHM 1.5W .01% AXIAL | Y1728100R000T0L.pdf |
