창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-445C3XS20M00000 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 445 Series Datasheet | |
주요제품 | 445 Series Glass Seal Crystals | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 445 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 20MHz | |
주파수 안정도 | ±15ppm | |
주파수 허용 오차 | ±30ppm | |
부하 정전 용량 | 시리즈 | |
등가 직렬 저항(ESR) | 40옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.053"(1.35mm) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 445C3XS20M00000 | |
관련 링크 | 445C3XS, 445C3XS20M00000 Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor |
MLS263M7R5EA0A | 26000µF 7.5V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 51 mOhm @ 120Hz 10000 Hrs @ 85°C | MLS263M7R5EA0A.pdf | ||
12102U510GAT2A | 51pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12102U510GAT2A.pdf | ||
RPE5C1H561J2M1A03A | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C1H561J2M1A03A.pdf | ||
445C33L25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33L25M00000.pdf | ||
416F40633ISR | 40.61MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40633ISR.pdf | ||
FMG-G2CS | DIODE GEN PURP 1KV 3A TO220F | FMG-G2CS.pdf | ||
PE-1008CD621KTT | 620nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.4 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CD621KTT.pdf | ||
SC414MF-560 | 56µH Shielded Inductor 380mA 1.48 Ohm Max Nonstandard | SC414MF-560.pdf | ||
AC0603FR-0720RL | RES SMD 20 OHM 1% 1/10W 0603 | AC0603FR-0720RL.pdf | ||
RT1206CRB073K4L | RES SMD 3.4K OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB073K4L.pdf | ||
TNPW080536K0BEEN | RES SMD 36K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080536K0BEEN.pdf | ||
CPCC072R700KE66 | RES 2.7 OHM 7W 10% RADIAL | CPCC072R700KE66.pdf |