IDT, Integrated Device Technology Inc 4EA1000A0Z4BACUGI
- 제조업체 부품 번호
- 4EA1000A0Z4BACUGI
- 제조업 자
- IDT, Integrated Device Technology Inc
- 제품 카테고리
- 핀 구성 가능 발진기
- 간단한 설명
- 100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 200MHz CMOS, LVDS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 6-SMD, No Lead (DFN, LCC) 2.5V 130mA (Typ) Enable/Disable
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
4EA1000A0Z4BACUGI 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 6,285.71000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 4EA1000A0Z4BACUGI, we specialize in all series IDT, Integrated Device Technology Inc electronic components. 4EA1000A0Z4BACUGI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 4EA1000A0Z4BACUGI, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 4EA1000A0Z4BACUGI 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
4EA1000A0Z4BACUGI 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-4EA1000A0Z4BACUGI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IDT4EA1000A0Z4 MEMS Osc: 4E Series Prod Brief | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
| 제조업체 | IDT, Integrated Device Technology Inc | |
| 계열 | 4EA1000A0Z4 | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 - 출력 1 | 100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 200MHz | |
| 주파수 -출력 2 | 25MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS, LVDS | |
| 전압 - 공급 | 2.5V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 130mA(일반) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | IDT4EA1000A0Z4BACUGI IDT4EA1000A0Z4BACUGI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 4EA1000A0Z4BACUGI | |
| 관련 링크 | 4EA1000A, 4EA1000A0Z4BACUGI Datasheet, IDT, Integrated Device Technology Inc Distributor | |
4EA1000A0Z4BACUGI 의 관련 제품
| B43601A2397M | 390µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 250 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601A2397M.pdf | |
 | FG28C0G2A222JNT06 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG28C0G2A222JNT06.pdf | |
.jpg) | CL03C030BA3GNNH | 3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CL03C030BA3GNNH.pdf | |
 | VJ0402D1R1CXCAC | 1.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R1CXCAC.pdf | |
| VJ0805D6R8CXAAP | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D6R8CXAAP.pdf | |
 | 416F26033CLT | 26MHz ±30ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26033CLT.pdf | |
| SCIF-3112-002 | LC EMI Filter 2nd Order Low Pass 1 Channel C = 0.027µF 5A Axial, Bushing | SCIF-3112-002.pdf | |
| 4922-42H | 2.7mH Unshielded Wirewound Inductor 131mA 23 Ohm Max 2-SMD | 4922-42H.pdf | |
 | MCR03ERTF5113 | RES SMD 511K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03ERTF5113.pdf | |
 | MNR18ERAPJ221 | RES ARRAY 8 RES 220 OHM 1606 | MNR18ERAPJ221.pdf | |
 | CFR-12JR-52-360R | RES 360 OHM 1/6W 5% AXIAL | CFR-12JR-52-360R.pdf | |
 | CMF5511K400BHEB | RES 11.4K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5511K400BHEB.pdf |
