창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-4P040F35IDT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ATSSM4P (4P) Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | ATSSM4P | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 4MHz | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
주파수 허용 오차 | ±30ppm | |
부하 정전 용량 | 18pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 120옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | HC49/US | |
크기/치수 | 0.512" L x 0.191" W(13.00mm x 4.85mm) | |
높이 | 0.205"(5.20mm) | |
표준 포장 | 100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 4P040F35IDT | |
관련 링크 | 4P040, 4P040F35IDT Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor |
EEV-FK1E332M | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | EEV-FK1E332M.pdf | ||
CBR04C908C1GAC | 0.90pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C908C1GAC.pdf | ||
102S42E300FV4E | 30pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E300FV4E.pdf | ||
MR052A8R2DAATR1 | 8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR052A8R2DAATR1.pdf | ||
425F11K025M0000 | 25MHz ±10ppm 수정 8pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F11K025M0000.pdf | ||
416F37423ATT | 37.4MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37423ATT.pdf | ||
1N5338BRLG | DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL | 1N5338BRLG.pdf | ||
SMBG5354B/TR13 | DIODE ZENER 17V 5W SMBG | SMBG5354B/TR13.pdf | ||
36502CR22JTDG | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 840 mOhm Max Nonstandard | 36502CR22JTDG.pdf | ||
PAT0805E65R7BST1 | RES SMD 65.7 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E65R7BST1.pdf | ||
CRCW060336R0FKEAHP | RES SMD 36 OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW060336R0FKEAHP.pdf | ||
CPL07R0700FB14 | RES 0.07 OHM 7W 1% AXIAL | CPL07R0700FB14.pdf |