창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-510EBB-ABAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si510, 511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si510 | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 100kHz ~ 124.999MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVPECL | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
주파수 안정도(총) | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 43mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.050"(1.28mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 510EBB-ABAG | |
관련 링크 | 510EB, 510EBB-ABAG Datasheet, Silicon Labs Distributor |
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![]() | JLLN1200X | FUSE CRTRDGE 1.2KA 300VAC/125VDC | JLLN1200X.pdf | |
![]() | 416F24022CST | 24MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24022CST.pdf | |
![]() | BSS84-7-F | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | BSS84-7-F.pdf | |
![]() | 3362P-1-304LF | 300k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3362P-1-304LF.pdf | |
![]() | MCR10EZHF1824 | RES SMD 1.82M OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF1824.pdf | |
![]() | CPF0603B18R2E1 | RES SMD 18.2 OHM 0.1% 1/16W 0603 | CPF0603B18R2E1.pdf | |
![]() | CRCW0805825RFKEAHP | RES SMD 825 OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW0805825RFKEAHP.pdf | |
![]() | MP915-0.075-1% | RES 0.075 OHM 15W 1% TO126 | MP915-0.075-1%.pdf | |
![]() | 93J4R7E | RES 4.7 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J4R7E.pdf | |
![]() | PDB-V113 | Photodiode 950nm 13ns 120° Radial | PDB-V113.pdf | |
![]() | P51-75-G-M-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - M10 x 1.0 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-G-M-D-5V-000-000.pdf |