창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-511FBA200M000AAGR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Si510, 511 | |
제품 교육 모듈 | Clock Tree Timing Solutions | |
주요제품 | Si510 and Si511 Low Jitter XOs | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si511 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
주파수 | 200MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVDS | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 23mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 511FBA200M000AAGR | |
관련 링크 | 511FBA20, 511FBA200M000AAGR Datasheet, Silicon Labs Distributor |
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![]() | MKP383210200JC02Z0 | 1000pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP383210200JC02Z0.pdf | |
AA-16.000MAME-T | 16MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-16.000MAME-T.pdf | ||
![]() | ECS-100-18-4-DN | 10MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ECS-100-18-4-DN.pdf | |
![]() | SIT8208AI-32-33E-24.000000Y | OSC XO 3.3V 24MHZ OE | SIT8208AI-32-33E-24.000000Y.pdf | |
![]() | LS101A-GS18 | DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80 | LS101A-GS18.pdf | |
![]() | NLV25T-082J-EFD | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 750 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-082J-EFD.pdf | |
![]() | RT0805CRC076K04L | RES SMD 6.04KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC076K04L.pdf | |
![]() | 743C083101JP | RES ARRAY 4 RES 100 OHM 2008 | 743C083101JP.pdf | |
![]() | CMF55133R00DHEA | RES 133 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55133R00DHEA.pdf | |
![]() | CMF606K8000DERE | RES 6.8K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF606K8000DERE.pdf | |
![]() | Y008976K8000AM0L | RES 76.8K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y008976K8000AM0L.pdf |