Silicon Labs 511FBA212M500BAG
- 제조업체 부품 번호
- 511FBA212M500BAG
- 제조업 자
- Silicon Labs
- 제품 카테고리
- 발진기
- 간단한 설명
- 212.5MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 23mA Enable/Disable
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
511FBA212M500BAG 가격 및 조달
가능 수량
1200 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,149.18760
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 511FBA212M500BAG, we specialize in all series Silicon Labs electronic components. 511FBA212M500BAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 511FBA212M500BAG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 511FBA212M500BAG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
511FBA212M500BAG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-511FBA212M500BAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Si510/511 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Silicon Labs | |
| 계열 | Si511 | |
| 포장 | 트레이 | |
| 유형 | XO(표준) | |
| 주파수 | 212.5MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVDS | |
| 전압 - 공급 | 2.5V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 23mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.050"(1.28mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 18mA | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 336-2733 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 511FBA212M500BAG | |
| 관련 링크 | 511FBA21, 511FBA212M500BAG Datasheet, Silicon Labs Distributor | |
511FBA212M500BAG 의 관련 제품
.jpg) | CGJ2B2X7R1E472K050BA | 4700pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGJ2B2X7R1E472K050BA.pdf | |
 | P6KE47AG | TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC AXIAL | P6KE47AG.pdf | |
 | DDZ9V1CSF-7 | DIODE ZENER 9.07V 500MW SOD323F | DDZ9V1CSF-7.pdf | |
 | LGJ12575TS-470M2R7-H | 47µH Shielded Wirewound Inductor 3A 52.8 mOhm Nonstandard | LGJ12575TS-470M2R7-H.pdf | |
 | AISC-0402HP-56NJ-T | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 850 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AISC-0402HP-56NJ-T.pdf | |
 | 2512-104J | 100µH Unshielded Inductor 260mA 6 Ohm Max 2-SMD | 2512-104J.pdf | |
| 1331R-331K | 330nH Shielded Inductor 495mA 180 mOhm Max 2-SMD | 1331R-331K.pdf | |
| DRA3P48A4R2 | RELAY SSR 480 V | DRA3P48A4R2.pdf | |
 | CRCW121056K0FKEAHP | RES SMD 56K OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121056K0FKEAHP.pdf | |
 | RNF14FTD487K | RES 487K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD487K.pdf | |
| CMF2027R000GKEK | RES 27 OHM 1W 2% AXIAL | CMF2027R000GKEK.pdf | |
 | E-TA2012 T 6DB N2 | RF Attenuator 6dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 6DB N2.pdf |
