Silicon Labs 511PBA-ABAG

511PBA-ABAG
제조업체 부품 번호
511PBA-ABAG
제조업 자
제품 카테고리
프로그래밍 가능 발진기
간단한 설명
100kHz ~ 124.999MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable
Datesheet 다운로드
다운로드
511PBA-ABAG 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 4,664.55240
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of 511PBA-ABAG, we specialize in all series Silicon Labs electronic components. 511PBA-ABAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 511PBA-ABAG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
511PBA-ABAG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
511PBA-ABAG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-511PBA-ABAG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서Si510, 511
제품 교육 모듈Clock Tree Timing Solutions
주요제품Si510 and Si511 Low Jitter XOs
종류수정 및 발진기
제품군프로그래밍 가능 발진기
제조업체Silicon Labs
계열Si511
포장트레이
부품 현황유효
유형XO(표준)
프로그래밍 가능 유형Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요)
가용 주파수 범위100kHz ~ 124.999MHz
기능활성화/비활성화
출력CMOS, Dual(동위상)
전압 - 공급2.5V
주파수 안정도±25ppm
주파수 안정도(총)±50ppm
작동 온도-40°C ~ 85°C
확산 대역 대역폭-
전류 - 공급(최대)26mA
등급-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 무연(DFN, LCC)
크기/치수0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm)
높이0.050"(1.28mm)
전류 - 공급(비활성화)(최대)18mA
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)511PBA-ABAG
관련 링크511PB, 511PBA-ABAG Datasheet, Silicon Labs Distributor
511PBA-ABAG 의 관련 제품
150µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C ESMQ451VSN151MP35S.pdf
18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) CGA3E2C0G2A180J080AA.pdf
20pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) SA102A200KAA.pdf
0.068µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm) B32529C3683J289.pdf
0.47µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 13 Ohm 0.177" Dia (4.50mm) TAP474K035BRW.pdf
TVS DIODE 43VWM 76.7VC SMAJ SMAJ43CE3/TR13.pdf
12MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD ABM2-12.000MHZ-D4Y-T.pdf
RECT BRIDGE GP 1600V SOT227B DMA150YA1600NA.pdf
220µH Shielded Wirewound Inductor 100mA 20.7 Ohm Max Nonstandard SP1210-224H.pdf
RES SMD 2K OHM 1% 1/4W 1206 CRCW12062K00FKEA.pdf
RES SMD 464K OHM 1% 1/8W 0805 RC2012F4643CS.pdf
RES SMD 24 OHM 2% 5W 0505 RCP0505W24R0GEC.pdf