창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-520M20HT20M0000 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 520 Series | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 520 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | TCXO | |
주파수 | 20MHz | |
기능 | - | |
출력 | 단축 사인 파 | |
전압 - 공급 | 1.8V | |
주파수 안정도 | ±2ppm | |
작동 온도 | -10°C ~ 60°C | |
전류 - 공급(최대) | 2mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 520M20HT20M0000 | |
관련 링크 | 520M20H, 520M20HT20M0000 Datasheet, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components Distributor |
![]() | 159LBA035M2DF | ELECTROLYTIC | 159LBA035M2DF.pdf | |
![]() | C2012X5R1C475M125AC | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R1C475M125AC.pdf | |
![]() | 885012208062 | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012208062.pdf | |
![]() | B32361A4606J80 | 60µF Film Capacitor 480V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.500" Dia (63.50mm) | B32361A4606J80.pdf | |
![]() | SMCJ22CA-HRAT7 | TVS DIODE 22VWM 35.5VC | SMCJ22CA-HRAT7.pdf | |
![]() | 416F271X2ASR | 27.12MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X2ASR.pdf | |
![]() | T507144054AQ | SCR INV STUD 40A 1400V TO-94 | T507144054AQ.pdf | |
![]() | L6008L8 | TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220 | L6008L8.pdf | |
![]() | LQP03HQ2N0C02D | 2nH Unshielded Thin Film Inductor 600mA 120 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03HQ2N0C02D.pdf | |
![]() | AT0603CRD0760R4L | RES SMD 60.4OHM 0.25% 1/10W 0603 | AT0603CRD0760R4L.pdf | |
![]() | RT0805CRD07160RL | RES SMD 160 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07160RL.pdf | |
![]() | Y0007500R000F0L | RES 500 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y0007500R000F0L.pdf |