ON Semiconductor 5LN01M-TL-E

5LN01M-TL-E
제조업체 부품 번호
5LN01M-TL-E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Datesheet 다운로드
다운로드
5LN01M-TL-E 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of 5LN01M-TL-E, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. 5LN01M-TL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 5LN01M-TL-E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
5LN01M-TL-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
5LN01M-TL-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-5LN01M-TL-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서5LN01M
PCN 단종/ EOLEOL 21/Apr/2016
PCN 설계/사양Raw Material Change 22/Jul/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)50V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.8옴 @ 50mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.57nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6.6pF @ 10V
전력 - 최대150mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지3-MCP
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)5LN01M-TL-E
관련 링크5LN01, 5LN01M-TL-E Datasheet, ON Semiconductor Distributor
5LN01M-TL-E 의 관련 제품
OSC XO 3.3V 33.33333MHZ SIT1602BC-13-33E-33.333330G.pdf
OSC XO 27MHZ ST SIT8008BI-83-XXS-27.000000X.pdf
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V I2PAK STPS30SM60CR.pdf
DIODE ZENER 36V 300MW SOT23-3 BZX84B36-G3-18.pdf
18µH Unshielded Molded Inductor 112mA 3.8 Ohm Max Axial 0819-54G.pdf
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP EL3H7(E)(TA)-G.pdf
RES SMD 432K OHM 1% 1/10W 0603 CRGV0603F432K.pdf
RES SMD 143 OHM 0.1% 1/8W 0805 RG2012V-1430-B-T5.pdf
RES SMD 5.36K OHM 0.1% 1/4W 1206 TNPU12065K36BZEN00.pdf
RES 1.18K OHM 1/2W 0.1% AXIAL H41K18BDA.pdf
RES 100K OHM 1/2W .1% AXIAL CMF55100K00BHEK70.pdf
Load Cell Force Sensor 45.36kgf (100lbs) 060-1430-06.pdf