American Technical Ceramics 600L8R2BT200T

600L8R2BT200T
제조업체 부품 번호
600L8R2BT200T
제조업 자
제품 카테고리
세라믹 커패시터
간단한 설명
8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm)
Datesheet 다운로드
다운로드
600L8R2BT200T 가격 및 조달

가능 수량

9150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 526.33152
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of 600L8R2BT200T, we specialize in all series American Technical Ceramics electronic components. 600L8R2BT200T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 600L8R2BT200T, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
600L8R2BT200T 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
600L8R2BT200T 매개 변수
내부 부품 번호EIS-600L8R2BT200T
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서600L Series
주요제품600L Ultra-Low ESR Capacitor
종류커패시터
제품군세라믹 커패시터
제조업체American Technical Ceramics
계열ATC 600L
포장테이프 및 릴(TR)
정전 용량8.2pF
허용 오차±0.1pF
전압 - 정격200V
온도 계수C0G, NP0
실장 유형표면실장, MLCC
작동 온도-55°C ~ 125°C
응용 제품RF, 마이크로웨이브, 고주파수
등급-
패키지/케이스0402(1005 미터법)
크기/치수0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm)
높이 - 장착(최대)-
두께(최대)0.024"(0.60mm)
리드 간격-
특징높은 Q값, 저손실, 초저 ESR
리드 유형-
표준 포장 4,000
다른 이름1284-1136-2
600L8R2BT
600L8R2BTRB
600L8R2BTRN
ATC600L8R2BT200T
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)600L8R2BT200T
관련 링크600L8R, 600L8R2BT200T Datasheet, American Technical Ceramics Distributor
600L8R2BT200T 의 관련 제품
3300µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C ELXG500VSN332MR30S.pdf
0.68µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) BFC237326684.pdf
10µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 0805 (2012 Metric) 1.5 Ohm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) TPSR106M006R1500.pdf
TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA ATV06B280JB-HF.pdf
13MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445I33A13M00000.pdf
40.61MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F40612AAR.pdf
4MHz ±50ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MA-406 4.0000M-C0: ROHS.pdf
12.8MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA AST3TQ-T-12.800MHZ-50-C-T5.pdf
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON BSC072N08NS5ATMA1.pdf
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 APTGT25A120D1G.pdf
68µH Unshielded Molded Inductor 325mA 1.85 Ohm Max Axial 2890-39H.pdf
RES 1M OHM 1W 1% AXIAL VR68000001004FAC00.pdf