창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-6N139(F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 6N138, 6N139 | |
카탈로그 페이지 | 2764 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 2500Vrms | |
전류 전달비(최소) | 500% @ 1.6mA | |
전류 전달비(최대) | - | |
턴온/턴오프(통상) | 200ns, 1µs | |
상승/하강 시간(통상) | - | |
입력 유형 | DC | |
출력 유형 | 베이스 포함 달링턴 | |
전압 - 출력(최대) | 18V | |
전류 - 출력/채널 | 60mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.65V | |
전류 - DC 순방향(If) | 20mA | |
Vce 포화(최대) | - | |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 8-DIP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 6N139F 6N139TF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 6N139(F) | |
관련 링크 | 6N13, 6N139(F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | SR211C473KAR | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211C473KAR.pdf | |
![]() | ECJ-1VB2D221K | 220pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ECJ-1VB2D221K.pdf | |
![]() | FESB16FT-E3/45 | DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB | FESB16FT-E3/45.pdf | |
![]() | CSD85302LT | MOSFET 2N-CH | CSD85302LT.pdf | |
![]() | B82730U3451A20 | 10mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 450mA DCR 1.75 Ohm (Typ) | B82730U3451A20.pdf | |
![]() | VLF10040T-3R3N6R2 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 6.2A 12.6 mOhm Max Nonstandard | VLF10040T-3R3N6R2.pdf | |
![]() | RE1206DRE0782RL | RES SMD 82 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE0782RL.pdf | |
![]() | Y14962K40000B0R | RES SMD 2.4K OHM 0.1% 0.15W 1206 | Y14962K40000B0R.pdf | |
![]() | CC2510F8RHHT | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 36-VFQFN Exposed Pad | CC2510F8RHHT.pdf | |
![]() | PCA9956BTWY | LED 드라이버 IC 24 출력 선형 PWM 조광 65mA 38-HTSSOP | PCA9956BTWY.pdf |