Wurth Electronics Inc 744115
- 제조업체 부품 번호
- 744115
- 제조업 자
- Wurth Electronics Inc
- 제품 카테고리
- 고정 인덕터
- 간단한 설명
- 200µH Unshielded Toroidal Inductor 2.2A 180 mOhm Max Radial
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
744115 가격 및 조달
가능 수량
1325 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,610.80750
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of 744115, we specialize in all series Wurth Electronics Inc electronic components. 744115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 744115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- 744115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
744115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-744115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 744115 | |
| PCN 조립/원산지 | WE-SI Factory Addition 30/Apr/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1839 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
| 계열 | WE-SI | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 토로이드 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 200µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 2.2A | |
| 전류 - 포화 | 900mA | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 180m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | 3MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 주파수 - 테스트 | 10kHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.709" Dia x 0.354" W(18.00mm x 9.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | 732-2274 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | 744115 | |
| 관련 링크 | 744, 744115 Datasheet, Wurth Electronics Inc Distributor | |
744115 의 관련 제품
 | APXA100ARA100MD55G | 10µF 10V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 220 mOhm 15000 Hrs @ 105°C | APXA100ARA100MD55G.pdf | |
 | B43504E2827M2 | 820µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 160 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504E2827M2.pdf | |
| UPB1A222MHD | 2200µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | UPB1A222MHD.pdf | |
 | ECS-60-20-5PVX | 6MHz ±30ppm 수정 20pF 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-60-20-5PVX.pdf | |
 | CX3225GB10000P0HPQCC | 10MHz ±20ppm 수정 18pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB10000P0HPQCC.pdf | |
 | 445I35J13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 9pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35J13M00000.pdf | |
 | VLS252010ET-100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 550mA 854 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252010ET-100M.pdf | |
.jpg) | 4N25S(TA)-V | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N25S(TA)-V.pdf | |
.jpg) | RT1206CRE0717K4L | RES SMD 17.4KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE0717K4L.pdf | |
 | RG1608N-2211-P-T1 | RES SMD 2.21K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-2211-P-T1.pdf | |
 | RSMF2JT51R0 | RES METAL OX 2W 51 OHM 5% AXL | RSMF2JT51R0.pdf | |
| Y4725150R000B0L | RES 150 OHM 3/4W 0.1% AXIAL | Y4725150R000B0L.pdf |
