창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-768772122 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 768772122 | |
3D 모델 | WE-TI_HV_Typ_L_HV.igs WE-TI_HV_Typ_L_HV.stp | |
PCN 설계/사양 | WE-TIHV 80y5,5075,1014 Series 17/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Production Line 23/May/2014 | |
PCN 포장 | WE-TI Series 13/Feb/2015 | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Wurth Electronics Inc | |
계열 | WE-TI HV | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | * | |
유형 | 권선 | |
소재 - 코어 | 페라이트 | |
유도 용량 | 1.2mH | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전류 | 400mA | |
전류 - 포화 | 450mA | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 2.64옴최대 | |
Q @ 주파수 | - | |
주파수 - 자기 공진 | 1.65MHz | |
등급 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
주파수 - 테스트 | 100kHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.307" Dia(7.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.394"(10.00mm) | |
표준 포장 | 140 | |
다른 이름 | 732-3262 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 768772122 | |
관련 링크 | 7687, 768772122 Datasheet, Wurth Electronics Inc Distributor |
![]() | 860080575018 | 560µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 860080575018.pdf | |
![]() | B43511A9477M | 470µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 190 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | B43511A9477M.pdf | |
![]() | MAL210417471E3 | 470µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 253 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | MAL210417471E3.pdf | |
![]() | C1005X7R1C473K050BC | 0.047µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005X7R1C473K050BC.pdf | |
![]() | 18252A562KAT2A | 5600pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.180" L x 0.250" W(4.57mm x 6.35mm) | 18252A562KAT2A.pdf | |
![]() | VJ2220Y123JBFAT4X | 0.012µF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y123JBFAT4X.pdf | |
![]() | GRM2166T1H100JD01D | 10pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2166T1H100JD01D.pdf | |
![]() | ECS-184-18-4X | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-184-18-4X.pdf | |
![]() | 416F27112CKR | 27.12MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27112CKR.pdf | |
![]() | 416F32011CLR | 32MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32011CLR.pdf | |
![]() | SI3483CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP | SI3483CDV-T1-E3.pdf | |
![]() | RT0603BRE071K27L | RES SMD 1.27KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRE071K27L.pdf |