창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-9B-26.000MBBK-B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 9B Series Quartz Crystal Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | TXC CORPORATION | |
계열 | 9B | |
포장 | 벌크 | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 26MHz | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
주파수 허용 오차 | ±50ppm | |
부하 정전 용량 | 20pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 30옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | HC49/US | |
크기/치수 | 0.453" L x 0.197" W(11.50mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.145"(3.68mm) | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | 9B-26.000MBBK-B | |
관련 링크 | 9B-26.0, 9B-26.000MBBK-B Datasheet, TXC CORPORATION Distributor |
B41896C5687M | 680µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 316 mOhm @ 120Hz 3500 Hrs @ 125°C | B41896C5687M.pdf | ||
EKMM251VNN821MR40W | 820µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMM251VNN821MR40W.pdf | ||
KMH63VN272M25X35T2 | 2700µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 92 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | KMH63VN272M25X35T2.pdf | ||
12061A1R2BAT2A | 1.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A1R2BAT2A.pdf | ||
VJ0603D330GXAAC | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D330GXAAC.pdf | ||
PVC205 | 0.5µF Film Capacitor 140V 200V Polyester Radial 0.559" Dia x 1.598" L (14.20mm x 40.60mm) | PVC205.pdf | ||
SMCJ11A-E3/9AT | TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMC | SMCJ11A-E3/9AT.pdf | ||
ATS061B-E | 6.144MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ATS061B-E.pdf | ||
MUR2X120A10 | DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227 | MUR2X120A10.pdf | ||
B82477R4224M100 | 220µH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 290 mOhm Max Nonstandard | B82477R4224M100.pdf | ||
CMF5519R100DHR6 | RES 19.1 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5519R100DHR6.pdf | ||
CP0402A1950ELTR | RF Directional Coupler 1.9GHz 3W 0402 (1005 Metric) | CP0402A1950ELTR.pdf |