창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-A2I25D025GNR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RF Products Selector Guide A2I25D025(G)NR1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | Freescale Semiconductor - NXP | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS(이중) | |
주파수 | 2.69GHz | |
이득 | 31.9dB | |
전압 - 테스트 | 28V | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 59mA | |
전력 - 출력 | 3.2W | |
전압 - 정격 | 65V | |
패키지/케이스 | TO-270-17 변형, 갈매기 날개형 | |
공급 장치 패키지 | TO-270WBG-17 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | A2I25D025GNR1 | |
관련 링크 | A2I25D, A2I25D025GNR1 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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C0402C183K9RACTU | 0.018µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C183K9RACTU.pdf | ||
416F260X3AKR | 26MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F260X3AKR.pdf | ||
416F360X3ATT | 36MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3ATT.pdf | ||
B612-2T | MOD DIODE SCR 42.5A 240V .250"QC | B612-2T.pdf | ||
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RCL12187R50JNEK | RES SMD 7.5 OHM 1W 1812 WIDE | RCL12187R50JNEK.pdf | ||
CPR15R4300KE10 | RES 0.43 OHM 15W 10% RADIAL | CPR15R4300KE10.pdf | ||
P51-200-A-O-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-A-O-I36-4.5OVP-000-000.pdf | ||
TFPT0805L3301JV | PTC Thermistor 3.3k Ohm 0805 (2125 Metric) | TFPT0805L3301JV.pdf |